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SemiQ

SemiQ

소개

SemiQ 2007 년에 설립 된 Global Power Technologies Group, Inc. (이하 "GPTG")는 SiC (Silicon Carbide) 기술을 기반으로하는 제품에 전념 한 통합 개발 및 제조 회사입니다. 이 제품들은 저비용, 고효율 전력 생산, 변환 및 전송을 위해 첨단 기술이 필요한 미래의 전력 전자 및 에너지 산업의 기초가 될 것입니다.

관련 뉴스

범주
7
제품 센터
373

이산 반도체 제품

GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

기술: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D020A120U

GP2D020A120U

기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M007A090FH

GP1M007A090FH

기술: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M010A080FH

GP1M010A080FH

기술: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD080A018S1-D3

GSXD080A018S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSID100A120S5C1

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기술: IGBT MODULE 1200V 170A

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

기술: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD160A010S1-D3

GSXD160A010S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A050HG

GP2M005A050HG

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP3D030A060B

GP3D030A060B

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF030A120S1-D3

GSXF030A120S1-D3

기술: DIODE FAST REC 1200V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF030A060S1-D3

GSXF030A060S1-D3

기술: DIODE FAST REC 600V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A080H

GP1M003A080H

기술: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD100A008S1-D3

GSXD100A008S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

기술: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS030A120S-D4

GHXS030A120S-D4

기술: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A060CG

GP2M002A060CG

기술: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS100A120T2P2

GHIS100A120T2P2

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS020A060S-D4

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기술: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M008A025CG

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기술: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D008A120C

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기술: DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D050A120B

GP2D050A120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M020A060M

GP1M020A060M

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF030A020S1-D3

GSXF030A020S1-D3

기술: DIODE FAST REC 200V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M006A065PH

GP1M006A065PH

기술: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD080A010S1-D3

GSXD080A010S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD120A008S1-D3

GSXD120A008S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD100A012S1-D3

GSXD100A012S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M009A070F

GP1M009A070F

기술: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M016A025FG

GP1M016A025FG

기술: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

기술: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

기술: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS200A120S3B1

GHIS200A120S3B1

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD120A004S1-D3

GSXD120A004S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M009A020HG

GP1M009A020HG

기술: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS015A120S-D1

GHXS015A120S-D1

기술: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D005A060A

GP2D005A060A

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D012A060A

GP2D012A060A

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

기술: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS050A120T1P2

GHIS050A120T1P2

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D005A065A

GP2D005A065A

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD060A020S1-D3

GSXD060A020S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD100A015S1-D3

GSXD100A015S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

기술: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M023A050N

GP1M023A050N

기술: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

기술: MOSFET N-CH 600V 2A

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS075A120T2P2

GHIS075A120T2P2

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GCMS012A120S1-E1

GCMS012A120S1-E1

기술: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M012A060FH

GP1M012A060FH

기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품

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