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Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

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범주
1
제품 센터
1,275

통합 회로 (ICS)

W25Q64FVTBIP

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기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80DVSSIG

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기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25M512JVEIQ

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기술: IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q257FVFIQ TR

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기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128JVCIM

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기술: IC FLASH 128M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W947D6HBHX5E TR

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128JVAIQ TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVUUJP TR

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기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q40BWSVIG

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기술: IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16VSFIG

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기술: IC FLASH 16M SPI 80MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9812G6JB-6 TR

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVSSJQ TR

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G6JB25I

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X16AVSNIG

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기술: IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BLZPIG TR

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기술: IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W947D2HBJX5I TR

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32JVSFIQ

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기술: IC FLASH 32M SPI 133MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9812G6JH-5

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GU6KB-15

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X80AVDAIZ

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기술: IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU6MB-15 TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BWBYIG TR

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기술: IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WLCSP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80DLUXIE

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기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8USON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16CVZPJG

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기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVPIG TR

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기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32JWSSIQ TR

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기술: IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL256PL9B

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기술: IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16BVSFIG TR

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9864G6JH-5

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG8JB25I

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVSFJQ

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기술: IC FLASH MEMORY 32MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVZPJP

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기술: IC FLASH MEMORY 16MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29N02GVSIAF

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기술: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W978H2KBQX2I

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256JVEIM

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기술: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DWUUIG

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16DVDAIG TR

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기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9412G6KH-4 TR

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVZEIG TR

W25Q32FVZEIG TR

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X05CLSNIG

W25X05CLSNIG

기술: IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVAIQ

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기술: IC FLASH 128MBIT 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics
유품
W632GU6KB11I

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FWSFIG

W25Q32FWSFIG

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q40EWSSIG TR

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기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6KB11I TR

W631GG6KB11I TR

기술: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25X40BVZPIG

W25X40BVZPIG

기술: IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9464G6KH-5 TR

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FWSTIG TR

W25Q32FWSTIG TR

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64CVSFJP

W25Q64CVSFJP

기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BWSSIG TR

W25Q80BWSSIG TR

기술: IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
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