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W947D6HBHX5E TR

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    W947D6HBHX5E TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Winbond Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    W947D6HBHX5E TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    60-VFBGA (8x9)
  • 연속
    -
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    60-TFBGA
  • 다른 이름들
    W947D6HBHX5E CT
    W947D6HBHX5E CT-ND
    W947D6HBHX5ECT
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    5ns

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