Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 집적회로 (ic) > 메모리 > W947D2HBJX5E TR
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3791135W947D2HBJX5E TR 이미지Winbond Electronics Corporation

W947D2HBJX5E TR

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
2500+
$2.656
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    W947D2HBJX5E TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Winbond Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    W947D2HBJX5E TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    90-VFBGA (8x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    90-TFBGA
  • 다른 이름들
    W947D2HBJX5E TR-ND
    W947D2HBJX5ETR
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    5ns

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "W947D2HBJX5E TR"관련 제품입니다.
W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9464G6KH-5I

W9464G6KH-5I

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9464G6KH-4

W9464G6KH-4

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9464G6JH-5I

W9464G6JH-5I

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9464G6KH-5

W9464G6KH-5

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9464G6JH-5

W9464G6JH-5

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W9464G6JH-4

W9464G6JH-4

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.