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FCP11N60F

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유품
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$3.86
10+
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100+
$2.826
500+
$2.288
1000+
$1.93
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규격
  • 제품 모델
    FCP11N60F
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.FCP11N60F.pdf
    2.FCP11N60F.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220-3
  • 연속
    SuperFET™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    380 mOhm @ 5.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    125W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 다른 이름들
    FCP11N60F-ND
    FCP11N60FFS
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    52 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1490pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    11A (Tc)

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FCP0805H821J-J1

FCP0805H821J-J1

기술: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP099N60E

FCP099N60E

기술: MOSFET N-CH 600V TO220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1206C123J

FCP1206C123J

기술: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP0805H821G-J1

FCP0805H821G-J1

기술: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1206C123G-H1

FCP1206C123G-H1

기술: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP110N65F

FCP110N65F

기술: MOSFET N-CH 650V 35A TO220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1206C123J-H1

FCP1206C123J-H1

기술: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP099N65S3

FCP099N65S3

기술: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1206C153J-H1

FCP1206C153J-H1

기술: CAP FILM 0.015UF 5% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP0805H821J

FCP0805H821J

기술: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1206C123G

FCP1206C123G

기술: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1206C153J

FCP1206C153J

기술: CAP FILM 0.015UF 5% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP0805H821G

FCP0805H821G

기술: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP104N60

FCP104N60

기술: MOSFET N-CH 600V 37A TO-220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP104N60F

FCP104N60F

기술: MOSFET N-CH 600V TO-220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP11N60N

FCP11N60N

기술: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1206C153G-H1

FCP1206C153G-H1

기술: CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP11N60N-F102

FCP11N60N-F102

기술: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1206C153G

FCP1206C153G

기술: CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP11N60

FCP11N60

기술: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
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