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FCP11N60N

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유품
1+
$3.39
10+
$3.059
100+
$2.458
800+
$1.726
1600+
$1.584
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    FCP11N60N
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.FCP11N60N.pdf
    2.FCP11N60N.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220-3
  • 연속
    SupreMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    299 mOhm @ 5.4A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    94W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    39 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1505pF @ 100V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    35.6nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    10.8A (Tc)

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2024년11월12일
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FCP1206C183G

FCP1206C183G

기술: CAP FILM 0.018UF 2% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1206C123J

FCP1206C123J

기술: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP104N60

FCP104N60

기술: MOSFET N-CH 600V 37A TO-220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1206C153G-H1

FCP1206C153G-H1

기술: CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1206C123G-H1

FCP1206C123G-H1

기술: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP099N65S3

FCP099N65S3

기술: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP0805H821J

FCP0805H821J

기술: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1206C123J-H1

FCP1206C123J-H1

기술: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP099N60E

FCP099N60E

기술: MOSFET N-CH 600V TO220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP0805H821J-J1

FCP0805H821J-J1

기술: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP11N60

FCP11N60

기술: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP11N60F

FCP11N60F

기술: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1206C153J-H1

FCP1206C153J-H1

기술: CAP FILM 0.015UF 5% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP11N60N-F102

FCP11N60N-F102

기술: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1206C153G

FCP1206C153G

기술: CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1206C153J

FCP1206C153J

기술: CAP FILM 0.015UF 5% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1206C123G

FCP1206C123G

기술: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP110N65F

FCP110N65F

기술: MOSFET N-CH 650V 35A TO220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP0805H821G-J1

FCP0805H821G-J1

기술: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP104N60F

FCP104N60F

기술: MOSFET N-CH 600V TO-220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
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