FCP165N65S3R0

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제품 모델

FCP165N65S3R0
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

SUPERFET3 650V TO220 PKG
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사양서

FCP165N65S3R0.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

4.5V @ 1.9mA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-220-3
연속

SuperFET® III
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

165 mOhm @ 9.5A, 10V
전력 소비 (최대)

154W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-220-3
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
무연 상태

Lead free
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 400V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

650V
상세 설명

N-Channel 650V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

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