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FCP190N60E

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유품
1+
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온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    FCP190N60E
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V TO220-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    FCP190N60E.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220
  • 연속
    SuperFET® II
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    190 mOhm @ 10A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    208W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    52 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3175pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    82nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    20.6A (Tc)

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FCP1913H473G-E1

FCP1913H473G-E1

기술: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP190N60-GF102

FCP190N60-GF102

기술: MOSFET N-CH 600V TO-220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP15710_FLORENTINA-4X1-MRK-W

FCP15710_FLORENTINA-4X1-MRK-W

기술: LENS W/ HOLDER CLEAR WIDE SCREW

제조업체: LEDiL
유품
RFQ
FCP170N60

FCP170N60

기술: MOSFET N-CH 600V 22A TO220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H473G

FCP1913H473G

기술: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP16N60N

FCP16N60N

기술: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP16N60N-F102

FCP16N60N-F102

기술: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H104J-E3

FCP1913H104J-E3

기술: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP16N60

FCP16N60

기술: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H104J-E2

FCP1913H104J-E2

기술: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP190N65S3R0

FCP190N65S3R0

기술: MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP190N65F

FCP190N65F

기술: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP165N65S3R0

FCP165N65S3R0

기술: SUPERFET3 650V TO220 PKG

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H104G

FCP1913H104G

기술: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP165N60E

FCP165N60E

기술: MOSFET N-CH 600V 23A TO220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H104G-E2

FCP1913H104G-E2

기술: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP190N65S3

FCP190N65S3

기술: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP165N65S3

FCP165N65S3

기술: SF3 650V 165MOHM E TO220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H104G-E3

FCP1913H104G-E3

기술: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP190N60

FCP190N60

기술: MOSFET N-CH 600V TO220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
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