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FCP1913H104G-E3

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규격
  • 제품 모델
    FCP1913H104G-E3
  • 제조업체 / 브랜드
    CDE (Cornell Dubilier Electronics)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    FCP1913H104G-E3.pdf
  • 정격 전압 - DC
    50V
  • 정격 전압 - AC
    -
  • 용인
    ±2%
  • 종료
    Solder Pads
  • 크기 / 치수
    0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm)
  • 연속
    FCP
  • 등급
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    1913 (4833 Metric)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 125°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 리드 간격
    -
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 높이 - 장착 (최대)
    -
  • 풍모
    -
  • 유전체 소재
    Polyphenylene Sulfide (PPS)
  • 상세 설명
    0.1µF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS) 1913 (4833 Metric)
  • 정전 용량
    0.1µF
  • 응용 프로그램
    High Frequency, Switching

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FCP170N60

FCP170N60

기술: MOSFET N-CH 600V 22A TO220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP190N65S3

FCP190N65S3

기술: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H473J-E1

FCP1913H473J-E1

기술: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP190N65F

FCP190N65F

기술: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H563G-E2

FCP1913H563G-E2

기술: CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP16N60N-F102

FCP16N60N-F102

기술: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H563G

FCP1913H563G

기술: CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1913H104G-E2

FCP1913H104G-E2

기술: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1913H473G-E1

FCP1913H473G-E1

기술: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP190N60E

FCP190N60E

기술: MOSFET N-CH 600V TO220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H473J

FCP1913H473J

기술: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1913H104J-E2

FCP1913H104J-E2

기술: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1913H104J-E3

FCP1913H104J-E3

기술: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1913H104G

FCP1913H104G

기술: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP1913H563J

FCP1913H563J

기술: CAP FILM 0.056UF 5% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP190N65S3R0

FCP190N65S3R0

기술: MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP190N60-GF102

FCP190N60-GF102

기술: MOSFET N-CH 600V TO-220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H473G

FCP1913H473G

기술: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
FCP190N60

FCP190N60

기술: MOSFET N-CH 600V TO220-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FCP1913H563G-E1

FCP1913H563G-E1

기술: CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
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