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FJV92MTF

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유품
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규격
  • 제품 모델
    FJV92MTF
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    PNP 350V/0.5A TRANSISTOR
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    FJV92MTF.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    350V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    500mV @ 2mA, 20mA
  • 트랜지스터 유형
    PNP
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23-3
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 작동 온도
    -
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 제조업체 표준 리드 타임
    13 Weeks
  • 주파수 - 전환
    50MHz
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 500mA 50MHz Surface Mount SOT-23-3
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    40 @ 10mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    250nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    500mA

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FJV4112RMTF

FJV4112RMTF

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유품
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FJV4108RMTF

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기술: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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FJV3115RMTF

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기술: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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FJV3114RMTF

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기술: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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FJV992PMTF

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FJV4103RMTF

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FJV4111RMTF

FJV4111RMTF

기술: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FJV4113RMTF

FJV4113RMTF

기술: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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유품
RFQ
FJV4114RMTF

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기술: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
FJV4107RMTF

FJV4107RMTF

기술: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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FJV4109RMTF

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기술: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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FJV4101RMTF

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기술: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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유품
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FJV3113RMTF

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기술: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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FJV4110RMTF

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기술: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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기술: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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