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MUN2215T1G

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  • 제품 모델
    MUN2215T1G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MUN2215T1G.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    250mV @ 1mA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    SC-59
  • 연속
    -
  • 저항기 -베이스 (R1)
    10 kOhms
  • 전력 - 최대
    338mW
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    MUN2215T1GOSDKR
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    2 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    160 @ 5mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA

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MUN2237T1G

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기술: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

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MUN2213JT1G

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MUN2231T1

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MUN2212T1G

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MUN2232T1G

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MUN2233T1G

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