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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN2230T1G

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규격

제품 모델

MUN2230T1G
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

MUN2230T1G.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)

250mV @ 5mA, 10mA
트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지

SC-59
연속

-
저항기 - 이미 터베이스 (R2)

1 kOhms
저항기 -베이스 (R1)

1 kOhms
전력 - 최대

338mW
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

2 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가

3 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

100mA

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