NTD4806NA-1G

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제품 모델

NTD4806NA-1G
제조업체 / 브랜드

AMI Semiconductor/onsemi
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.5V @ 250µA
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

I-PAK
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

6 mOhm @ 30A, 10V
전력 소비 (최대)

-
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-251-3 Stub Leads, IPak
작동 온도

-
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2142pF @ 12V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 4.5V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

N-Channel 30V 11.3A (Ta), 79A (Tc) Through Hole I-PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.3A (Ta), 79A (Tc)

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