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NTD4809NA-1G

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  • 제품 모델
    NTD4809NA-1G
  • 제조업체 / 브랜드
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NTD4809NA-1G.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    I-PAK
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    9 mOhm @ 30A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.3W (Ta), 52W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1456pF @ 12V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    13nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 11.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    9.6A (Ta), 58A (Tc)

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NTD4808N-1G

NTD4808N-1G

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NTD4809NH-1G

NTD4809NH-1G

기술: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTD4808NT4G

NTD4808NT4G

기술: MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK

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NTD4810N-1G

NTD4810N-1G

기술: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

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NTD4809NA-35G

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