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1756057AS4C128M8D3LB-12BCNTR 이미지Alliance Memory, Inc.

AS4C128M8D3LB-12BCNTR

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  • 제품 모델
    AS4C128M8D3LB-12BCNTR
  • 제조업체 / 브랜드
    Alliance Memory, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    AS4C128M8D3LB-12BCNTR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.283 V ~ 1.45 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3L
  • 제조업체 장치 패키지
    78-FBGA (10.5x8)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    78-VFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3L Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x8)
  • 클럭 주파수
    800MHz
  • 액세스 시간
    20ns

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AS4C128M8D3LB-12BIN

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16D1-5BCN

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C128M8D3LB-12BINTR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C128M8D3LA-12BANTR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
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AS4C128M8D3LB-12BCN

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

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AS4C16M16D1-5TCNTR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C16M16D1-5TCN

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C16M16D1-5BCNTR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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AS4C128M8D3LA-12BAN

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AS4C128MD2-25BCNTR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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AS4C128M8D3LA-12BINTR

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