Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 집적회로 (ic) > 메모리 > AS4C16M16D1-5TIN
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
420577AS4C16M16D1-5TIN 이미지Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16D1-5TIN

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    AS4C16M16D1-5TIN
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    2.3 V ~ 2.7 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR
  • 제조업체 장치 패키지
    66-TSOP II
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 다른 이름들
    1450-1143-5
    AS4C16M16D1-5TIN-ND
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    700ps
AS4C16M16D2-25BCNTR

AS4C16M16D2-25BCNTR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C128MD2-25BCNTR

AS4C128MD2-25BCNTR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C128M8D3LB-12BIN

AS4C128M8D3LB-12BIN

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D1-5BINTR

AS4C16M16D1-5BINTR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D1A-5TINTR

AS4C16M16D1A-5TINTR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D1-5BCN

AS4C16M16D1-5BCN

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C128M8D3LB-12BCNTR

AS4C128M8D3LB-12BCNTR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D1-5BCNTR

AS4C16M16D1-5BCNTR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C128M8D3LB-12BINTR

AS4C128M8D3LB-12BINTR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16MD1-6BCN

AS4C16M16MD1-6BCN

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D1-5TCN

AS4C16M16D1-5TCN

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D2-25BINTR

AS4C16M16D2-25BINTR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D1-5TINTR

AS4C16M16D1-5TINTR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D1A-5TCNTR

AS4C16M16D1A-5TCNTR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D2-25BIN

AS4C16M16D2-25BIN

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D1-5TCNTR

AS4C16M16D1-5TCNTR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오