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475870DMT6P1K 이미지Cornell Dubilier Electronics

DMT6P1K

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규격
  • 제품 모델
    DMT6P1K
  • 제조업체 / 브랜드
    CDE (Cornell Dubilier Electronics)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    DMT6P1K.pdf
  • 정격 전압 - DC
    630V
  • 정격 전압 - AC
    250V
  • 용인
    ±10%
  • 종료
    PC Pins
  • 크기 / 치수
    1.193" L x 0.539" W (30.30mm x 13.70mm)
  • 연속
    DMT
  • 등급
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    Radial
  • 작동 온도
    -55°C ~ 125°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 리드 간격
    1.043" (26.50mm)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 높이 - 장착 (최대)
    0.830" (21.08mm)
  • 풍모
    -
  • 유전체 소재
    Polyester, Metallized
  • 상세 설명
    0.1µF Film Capacitor 250V 630V Polyester, Metallized Radial
  • 정전 용량
    0.1µF
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

기술: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

기술: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

기술: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

기술: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

기술: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

기술: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

기술: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

기술: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

기술: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

기술: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

기술: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

기술: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

기술: MOSFET 100V 108A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

기술: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

기술: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

기술: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

기술: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

기술: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
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