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DMTH10H005SCT

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유품
50+
$1.659
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    DMTH10H005SCT
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMTH10H005SCT.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220AB
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    5 mOhm @ 13A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    187W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    8474pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    111.7nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 140A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    140A (Tc)

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DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

기술: MOSFET NCH 100V 28A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

기술: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

기술: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

기술: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

기술: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

기술: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

기술: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

기술: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

기술: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

기술: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

기술: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

기술: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

기술: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

기술: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

기술: MOSFET NCH 100V TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

기술: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

기술: MOSFET 100V 108A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

기술: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

기술: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

기술: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
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