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IHB2BV821K

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유품
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규격
  • 제품 모델
    IHB2BV821K
  • 제조업체 / 브랜드
    Dale / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IHB-2 820 10% B40
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IHB2BV821K.pdf
  • 유형
    Wirewound
  • 용인
    ±10%
  • 제조업체 장치 패키지
    -
  • 크기 / 치수
    0.825" Dia (20.96mm)
  • 차폐
    Unshielded
  • 연속
    IHB
  • 등급
    -
  • Q 인자, 주파수
    -
  • 포장
    -
  • 패키지 / 케이스
    Radial
  • 작동 온도
    -55°C ~ 130°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 소재 - 코어
    -
  • 제조업체 표준 리드 타임
    22 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 인덕턴스 주파수 - 테스트
    1kHz
  • 인덕턴스
    820µH
  • 높이 - 장착 (최대)
    0.840" (21.34mm)
  • 주파수 - 자기 공진
    -
  • 풍모
    -
  • 상세 설명
    820µH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 590 mOhm Max Radial
  • DC 저항 (DCR)
    590 mOhm Max
  • 정격 전류
    1.2A
  • 전류 - 포화
    -

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IHB2BV681K

기술: IHB-2 680 10% B40

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2BV470K

IHB2BV470K

기술: IHB-2 47 10% B40

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IHB2EB121K

기술: IHB-2 120 10% EB E2

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유품
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IHB2EB150K

IHB2EB150K

기술: IHB-2 15 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB2BV5R6M

IHB2BV5R6M

기술: IHB-2 5.6 20% B40

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB2BV680K

IHB2BV680K

기술: IHB-2 68 10% B40

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB2EB101K

IHB2EB101K

기술: IHB-2 100 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2BV8R2M

IHB2BV8R2M

기술: IHB-2 8.2 20% B40

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IHB2BV4R7M

IHB2BV4R7M

기술: IHB-2 4.7 20% B40

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IHB2EB152K

IHB2EB152K

기술: IHB-2 1.5K 10% EB E2

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IHB2BV3R3M

IHB2BV3R3M

기술: IHB-2 3.3 20% B40

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IHB2EB100K

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기술: IHB-2 10 10% EB E2

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IHB2BV471K

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기술: IHB-2 470 10% B40

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기술: IHB-2 12 10% EB E2

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기술: IHB-2 1K 10% EB E2

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기술: IHB-2 1.2K 10% EB E2

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기술: IHB-2 560 10% B40

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기술: IHB-2 150 10% EB E2

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기술: IHB-2 56 10% B40

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기술: IHB-2 82 10% B40

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