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IHB2EB151K

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510+
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규격
  • 제품 모델
    IHB2EB151K
  • 제조업체 / 브랜드
    Dale / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IHB-2 150 10% EB E2
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IHB2EB151K.pdf
  • 유형
    Wirewound
  • 용인
    ±10%
  • 제조업체 장치 패키지
    -
  • 크기 / 치수
    0.825" Dia (20.96mm)
  • 차폐
    Unshielded
  • 연속
    IHB
  • 등급
    -
  • Q 인자, 주파수
    -
  • 포장
    -
  • 패키지 / 케이스
    Radial
  • 작동 온도
    -55°C ~ 130°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 소재 - 코어
    -
  • 제조업체 표준 리드 타임
    22 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 인덕턴스 주파수 - 테스트
    1kHz
  • 인덕턴스
    150µH
  • 높이 - 장착 (최대)
    0.840" (21.34mm)
  • 주파수 - 자기 공진
    -
  • 풍모
    -
  • 상세 설명
    150µH Unshielded Wirewound Inductor 3A 98 mOhm Max Radial
  • DC 저항 (DCR)
    98 mOhm Max
  • 정격 전류
    3A
  • 전류 - 포화
    -

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제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB152K

IHB2EB152K

기술: IHB-2 1.5K 10% EB E2

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IHB2EB102K

IHB2EB102K

기술: IHB-2 1K 10% EB E2

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IHB2BV8R2M

IHB2BV8R2M

기술: IHB-2 8.2 20% B40

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IHB2EB1R8M

IHB2EB1R8M

기술: IHB-2 1.8 20% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB2EB221K

IHB2EB221K

기술: IHB-2 220 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB1R5M

IHB2EB1R5M

기술: IHB-2 1.5 20% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB1R2M

IHB2EB1R2M

기술: IHB-2 1.2 20% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2BV820K

IHB2BV820K

기술: IHB-2 82 10% B40

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IHB2EB121K

IHB2EB121K

기술: IHB-2 120 10% EB E2

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IHB2EB100K

기술: IHB-2 10 10% EB E2

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IHB2EB181K

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기술: IHB-2 180 10% EB E2

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기술: IHB-2 12 10% EB E2

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기술: IHB-2 22 10% EB E2

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기술: IHB-2 15 10% EB E2

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기술: IHB-2 100 10% EB E2

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기술: IHB-2 820 10% B40

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기술: IHB-2 18 10% EB E2

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기술: IHB-2 1.8K 10% EB E2

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기술: IHB-2 1 20% EB E2

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