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IHB2EB1R0M

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유품
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120+
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510+
$6.902
1020+
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규격
  • 제품 모델
    IHB2EB1R0M
  • 제조업체 / 브랜드
    Dale / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IHB-2 1 20% EB E2
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IHB2EB1R0M.pdf
  • 유형
    Wirewound
  • 용인
    ±20%
  • 제조업체 장치 패키지
    -
  • 크기 / 치수
    0.825" Dia (20.96mm)
  • 차폐
    Unshielded
  • 연속
    IHB
  • 등급
    -
  • Q 인자, 주파수
    -
  • 포장
    -
  • 패키지 / 케이스
    Radial
  • 작동 온도
    -55°C ~ 130°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 소재 - 코어
    -
  • 제조업체 표준 리드 타임
    22 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 인덕턴스 주파수 - 테스트
    1kHz
  • 인덕턴스
    1µH
  • 높이 - 장착 (최대)
    0.840" (21.34mm)
  • 주파수 - 자기 공진
    -
  • 풍모
    -
  • 상세 설명
    1µH Unshielded Wirewound Inductor 17.4A 3 mOhm Max Radial
  • DC 저항 (DCR)
    3 mOhm Max
  • 정격 전류
    17.4A
  • 전류 - 포화
    -

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IHB2EB182K

IHB2EB182K

기술: IHB-2 1.8K 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB1R5M

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기술: IHB-2 1.5 20% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB2R7M

IHB2EB2R7M

기술: IHB-2 2.7 20% EB E2

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유품
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IHB2EB271K

IHB2EB271K

기술: IHB-2 270 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB2EB121K

IHB2EB121K

기술: IHB-2 120 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB2EB270K

IHB2EB270K

기술: IHB-2 27 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
RFQ
IHB2EB1R2M

IHB2EB1R2M

기술: IHB-2 1.2 20% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB2EB151K

IHB2EB151K

기술: IHB-2 150 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB222K

IHB2EB222K

기술: IHB-2 2.2K 10% EB E2

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IHB2EB120K

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기술: IHB-2 12 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB181K

IHB2EB181K

기술: IHB-2 180 10% EB E2

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IHB2EB180K

IHB2EB180K

기술: IHB-2 18 10% EB E2

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IHB2EB102K

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기술: IHB-2 1K 10% EB E2

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IHB2EB1R8M

IHB2EB1R8M

기술: IHB-2 1.8 20% EB E2

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기술: IHB-2 220 10% EB E2

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기술: IHB-2 22 10% EB E2

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기술: IHB-2 1.2K 10% EB E2

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기술: IHB-2 15 10% EB E2

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기술: IHB-2 1.5K 10% EB E2

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