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IHB2EB2R7M

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유품
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규격
  • 제품 모델
    IHB2EB2R7M
  • 제조업체 / 브랜드
    Dale / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IHB-2 2.7 20% EB E2
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IHB2EB2R7M.pdf
  • 유형
    Wirewound
  • 용인
    ±20%
  • 제조업체 장치 패키지
    -
  • 크기 / 치수
    0.825" Dia (20.96mm)
  • 차폐
    Unshielded
  • 연속
    IHB
  • 등급
    -
  • Q 인자, 주파수
    -
  • 포장
    -
  • 패키지 / 케이스
    Radial
  • 작동 온도
    -55°C ~ 130°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 소재 - 코어
    -
  • 제조업체 표준 리드 타임
    22 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 인덕턴스 주파수 - 테스트
    1kHz
  • 인덕턴스
    2.7µH
  • 높이 - 장착 (최대)
    0.840" (21.34mm)
  • 주파수 - 자기 공진
    -
  • 풍모
    -
  • 상세 설명
    2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 13.5A 5 mOhm Max Radial
  • DC 저항 (DCR)
    5 mOhm Max
  • 정격 전류
    13.5A
  • 전류 - 포화
    -

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IHB2EB3R9M

IHB2EB3R9M

기술: IHB-2 3.9 20% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB471K

IHB2EB471K

기술: IHB-2 470 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB331K

IHB2EB331K

기술: IHB-2 330 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB2EB4R7M

IHB2EB4R7M

기술: IHB-2 4.7 20% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB2EB3R3M

IHB2EB3R3M

기술: IHB-2 3.3 20% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB2R2M

IHB2EB2R2M

기술: IHB-2 2.2 20% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB2EB1R5M

IHB2EB1R5M

기술: IHB-2 1.5 20% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
유품
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IHB2EB330K

IHB2EB330K

기술: IHB-2 33 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB1R0M

IHB2EB1R0M

기술: IHB-2 1 20% EB E2

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IHB2EB470K

IHB2EB470K

기술: IHB-2 47 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB271K

IHB2EB271K

기술: IHB-2 270 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB560K

IHB2EB560K

기술: IHB-2 56 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB391K

IHB2EB391K

기술: IHB-2 390 10% EB E2

제조업체: Dale / Vishay
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IHB2EB1R2M

IHB2EB1R2M

기술: IHB-2 1.2 20% EB E2

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IHB2EB221K

IHB2EB221K

기술: IHB-2 220 10% EB E2

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IHB2EB390K

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기술: IHB-2 39 10% EB E3

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기술: IHB-2 2.2K 10% EB E2

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기술: IHB-2 1.8 20% EB E2

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IHB2EB270K

IHB2EB270K

기술: IHB-2 27 10% EB E2

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기술: IHB-2 22 10% EB E2

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