Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > DMG7401SFG-7
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3558494DMG7401SFG-7 이미지Diodes Incorporated

DMG7401SFG-7

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
2000+
$0.223
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    DMG7401SFG-7
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±25V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerDI3333-8
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    11 mOhm @ 12A, 20V
  • 전력 소비 (최대)
    940mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerWDFN
  • 다른 이름들
    DMG7401SFG-7DITR
    DMG7401SFG7
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2987pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 20V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    P-Channel 30V 9.8A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    9.8A (Ta)
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

기술: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

기술: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13

기술: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

기술: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7

기술: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

기술: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

기술: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG6968LSD-13

DMG6968LSD-13

기술: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

기술: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG6968U-7

DMG6968U-7

기술: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

기술: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

기술: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

기술: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

기술: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오