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2016718DMG7702SFG-7 이미지Diodes Incorporated

DMG7702SFG-7

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규격
  • 제품 모델
    DMG7702SFG-7
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMG7702SFG-7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerDI3333-8
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    10 mOhm @ 13.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    890mW (Ta)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerWDFN
  • 다른 이름들
    DMG7702SFG-7DIDKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    4310pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    31.6nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    Schottky Diode (Body)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    12A (Ta)

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DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

기술: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

기술: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

기술: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

기술: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

기술: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

기술: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

기술: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7

기술: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

기술: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

기술: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

기술: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

기술: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

기술: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
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