> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 > DMG8822UTS-13
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
649796

DMG8822UTS-13

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
2500+
$0.216
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    DMG8822UTS-13
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    900mV @ 250µA
  • 제조업체 장치 패키지
    8-TSSOP
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
  • 전력 - 최대
    870mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    841pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    9.6nC @ 4.5V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 특징
    Standard
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.9A (Ta) 870mW Surface Mount 8-TSSOP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4.9A (Ta)
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

기술: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG963H50R

DMG963H50R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic
유품
DMG963010R

DMG963010R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic
유품
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

기술: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

기술: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG963020R

DMG963020R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic
유품
DMG963030R

DMG963030R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic
유품
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

기술: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

기술: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG963HC0R

DMG963HC0R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic
유품
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

기술: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

기술: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG963H10R

DMG963H10R

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic
유품
DMG904010R

DMG904010R

기술: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

제조업체: Panasonic
유품
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

기술: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오