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4260528DMJ70H1D3SI3 이미지Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SI3

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유품
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75+
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150+
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525+
$0.677
1050+
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규격
  • 제품 모델
    DMJ70H1D3SI3
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMJ70H1D3SI3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-251
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    41W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • 다른 이름들
    DMJ70H1D3SI3-ND
    DMJ70H1D3SI3DI
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    7 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    351pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    700V
  • 상세 설명
    N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4.6A (Tc)

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DMJ2833-000

DMJ2833-000

기술: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

제조업체: Skyworks Solutions, Inc.
유품
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

기술: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

기술: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

기술: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

기술: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
IRF7490PBF

IRF7490PBF

기술: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRL8113STRLPBF

IRL8113STRLPBF

기술: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

기술: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
IRLH6224TR2PBF

IRLH6224TR2PBF

기술: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

기술: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
FQB5N20LTM

FQB5N20LTM

기술: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

기술: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

기술: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
SPD18P06PGBTMA1

SPD18P06PGBTMA1

기술: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

기술: MOSFET N-CH TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

기술: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

기술: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

기술: MOSFET N-CH 700V 3.9A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
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