Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > DMJ7N70SK3-13
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
5963356DMJ7N70SK3-13 이미지Diodes Incorporated

DMJ7N70SK3-13

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$1.87
10+
$1.652
100+
$1.306
500+
$1.013
1000+
$0.80
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    DMJ7N70SK3-13
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 700V 3.9A
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-252
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.25 Ohm @ 2.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    28W (Tc)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 다른 이름들
    DMJ7N70SK3-13DIDKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    24 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    351pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    700V
  • 상세 설명
    N-Channel 700V 3.9A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount TO-252
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    3.9A (Tc)
DMJ2833-000

DMJ2833-000

기술: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

제조업체: Skyworks Solutions, Inc.
유품
IXFC96N15P

IXFC96N15P

기술: MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220

제조업체: IXYS Corporation
유품
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

기술: MOSFET N-CH TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

기술: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

기술: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

기술: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

기술: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
STL4LN80K5

STL4LN80K5

기술: MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

제조업체: STMicroelectronics
유품
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

기술: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

기술: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
IXTQ69N30P

IXTQ69N30P

기술: MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P

제조업체: IXYS Corporation
유품
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

기술: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

기술: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMJT9435-13

DMJT9435-13

기술: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

제조업체: Diodes Incorporated
유품
IXFP16N50P

IXFP16N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220

제조업체: IXYS Corporation
유품
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

기술: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
유품
SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

기술: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
VN10LP

VN10LP

기술: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

기술: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
IXTA182N055T7

IXTA182N055T7

기술: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7

제조업체: IXYS Corporation
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오