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1796072DMN3016LK3-13 이미지Diodes Incorporated

DMN3016LK3-13

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규격
  • 제품 모델
    DMN3016LK3-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMN3016LK3-13.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-252
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    12 mOhm @ 11A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.6W (Ta)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 다른 이름들
    DMN3016LK3-13DIDKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    24 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 12.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    12.4A (Ta)

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DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

기술: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

기술: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

기술: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

기술: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

기술: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

기술: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

기술: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

기술: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

기술: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

기술: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

기술: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

기술: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

기술: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
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DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

기술: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
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DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

기술: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
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