Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > DMN3016LSS-13
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
416407DMN3016LSS-13 이미지Diodes Incorporated

DMN3016LSS-13

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$0.64
10+
$0.535
100+
$0.402
500+
$0.294
1000+
$0.228
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    DMN3016LSS-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMN3016LSS-13.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    12 mOhm @ 12A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.5W (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    DMN3016LSS-13DICT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 10.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    10.3A (Ta)

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "DMN3016LSS-13"관련 제품입니다.
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

기술: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

기술: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

기술: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

기술: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

기술: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

기술: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

기술: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

기술: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

기술: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

기술: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

기술: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

기술: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

기술: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

기술: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

기술: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.