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4009402DMT3009LFVW-13 이미지Diodes Incorporated

DMT3009LFVW-13

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMT3009LFVW-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMT3009LFVW-13.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerDI3333-8
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    11 mOhm @ 14.4A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    2.3W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerVDFN
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 제조업체 표준 리드 타임
    20 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    823pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    3.8V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    12A (Ta), 50A (Tc)

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DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

기술: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

기술: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

기술: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

기술: MOSFET N-CH 30V 12A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7

기술: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3009LFVW-7

DMT3009LFVW-7

기술: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

기술: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

기술: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

기술: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

기술: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

기술: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

기술: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

기술: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

기술: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

기술: MOSFET N-CH 30V 12A

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

기술: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

기술: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT3006LFDF-13

DMT3006LFDF-13

기술: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
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DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13

기술: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
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