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Diodes Incorporated

DMT3011LDT-7

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규격

제품 모델

DMT3011LDT-7
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

DMT3011LDT-7.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지

V-DFN3030-8 (Type K)
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

20 mOhm @ 6A, 10V
전력 - 최대

1.9W
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad
다른 이름들

DMT3011LDT-7-ND
DMT3011LDT-7DITR
작동 온도

-55°C ~ 155°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

16 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

641pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

13.2nC @ 10V
FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징

Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A, 10.7A

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