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DMT4011LFG-13

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMT4011LFG-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMT4011LFG-13.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    +20V, -16V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerDI3333-8
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    11 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    15.6W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerVDFN
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    767pF @ 20V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    15.1nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    N-Channel 40V 30A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    30A (Tc)

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DMT4D47K

DMT4D47K

기술: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

기술: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

기술: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT34M2LPS-13

DMT34M2LPS-13

기술: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

기술: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4002LPS-13

DMT4002LPS-13

기술: MOSFET N-CH 40V 100A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

기술: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT36M1LPS-13

DMT36M1LPS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

기술: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

기술: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT4005SCT

DMT4005SCT

기술: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT3N4R2U224M3DTA0

DMT3N4R2U224M3DTA0

기술: CAPACITOR 220MF 20% 4.2V SMD

제조업체: Murata Electronics
유품
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

기술: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT334R2S474M3DTA0

DMT334R2S474M3DTA0

기술: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

제조업체: Murata Electronics
유품
RFQ
DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

기술: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

기술: MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

기술: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

기술: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

기술: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4004LPS-13

DMT4004LPS-13

기술: MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
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