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4755687DMT5015LFDF-13 이미지Diodes Incorporated

DMT5015LFDF-13

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유품
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규격
  • 제품 모델
    DMT5015LFDF-13
  • 제조업체 / 브랜드
    Diodes Incorporated
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DMT5015LFDF-13.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±16V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    6-UDFN2020 (2x2)
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    15 mOhm @ 8A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    820mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    6-UDFN Exposed Pad
  • 다른 이름들
    DMT5015LFDF-13DI
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    902.7pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    50V
  • 상세 설명
    N-Channel 50V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN2020 (2x2)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    9.1A (Ta)

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DMT4P22K

DMT4P22K

기술: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

기술: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

기술: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

기술: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4011LFG-13

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기술: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6007LFG-13

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기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

기술: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6004SCT

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기술: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4P1K

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기술: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

기술: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

기술: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

기술: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

기술: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4005SCT

DMT4005SCT

기술: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4004LPS-13

DMT4004LPS-13

기술: MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

기술: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

기술: MOSFET N-CH 60V 22A

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

기술: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

기술: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

기술: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

제조업체: Cornell Dubilier Electronics
유품
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