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Diodes Incorporated

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규격

제품 모델

ZXMC3AM832TA
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

ZXMC3AM832TA.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1V @ 250µA (Min)
제조업체 장치 패키지

8-MLP (3x3)
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

120 mOhm @ 2.5A, 10V
전력 - 최대

1.7W
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad
다른 이름들

1034-ZXMC3AM832TACT
작동 온도

-
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 10V
FET 유형

N and P-Channel
FET 특징

Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x3)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 2.1A

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