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Diodes Incorporated

ZXMC4A16DN8TA

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유품

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온라인 문의

규격

제품 모델

ZXMC4A16DN8TA
제조업체 / 브랜드

Diodes Incorporated
재고 수량

유품
기술

MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

ZXMC4A16DN8TA.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1V @ 250mA
제조업체 장치 패키지

8-SO
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V
전력 - 최대

2.1W
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들

ZXMC4A16DN8TADI
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

20 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V
FET 유형

N and P-Channel Complementary
FET 특징

Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss)

40V
상세 설명

Mosfet Array N and P-Channel Complementary 40V 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) 2.1W Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Ta), 4.7A (Ta)

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