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EPC2049ENGRT

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유품
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규격
  • 제품 모델
    EPC2049ENGRT
  • 제조업체 / 브랜드
    EPC
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS GAN 40V BUMPED DIE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    EPC2049ENGRT.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 6mA
  • Vgs (최대)
    +6V, -4V
  • 과학 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 제조업체 장치 패키지
    Die
  • 연속
    eGaN®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    5 mOhm @ 15A, 5V
  • 전력 소비 (최대)
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    Die
  • 다른 이름들
    917-EPC2049ENGRTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    14 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    805pF @ 20V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    7.6nC @ 5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    N-Channel 40V 16A (Ta) Surface Mount Die
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    16A (Ta)

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EPC2039

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기술: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

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EPC2100ENGRT

기술: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

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EPC2101

기술: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

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EPC2047ENGRT

EPC2047ENGRT

기술: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

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EPC2101ENG

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기술: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

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EPC2038ENGR

EPC2038ENGR

기술: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE

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EPC2040

EPC2040

기술: MOSFET NCH 15V 3.4A DIE

제조업체: EPC
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EPC2045ENGRT

EPC2045ENGRT

기술: TRANS GAN 100V BUMPED DIE

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EPC2046ENGRT

EPC2046ENGRT

기술: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

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EPC2051ENGRT

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기술: TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR

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EPC2050ENGRT

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기술: TRANS GAN 350V BUMPED DIE

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EPC2040ENGRT

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기술: TRANS GAN 15V BUMPED DIE

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EPC2040ENGR

EPC2040ENGR

기술: TRANS GAN 25V BUMPED DIE

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EPC2102

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기술: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

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기술: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

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기술: TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE

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기술: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

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기술: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE

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기술: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

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