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EPC2100ENGRT

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  • 제품 모델
    EPC2100ENGRT
  • 제조업체 / 브랜드
    EPC
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    EPC2100ENGRT.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
  • 제조업체 장치 패키지
    Die
  • 연속
    eGaN®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
  • 전력 - 최대
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    Die
  • 다른 이름들
    917-EPC2100ENGRTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET 특징
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    10A (Ta), 40A (Ta)

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기술: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

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기술: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

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기술: TRANS GAN 350V BUMPED DIE

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EPC2101ENGRT

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기술: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

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EPC2051ENGRT

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기술: TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR

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EPC2103ENGRT

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기술: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

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EPC2049ENGRT

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기술: TRANS GAN 40V BUMPED DIE

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EPC2104

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기술: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

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EPC2100

EPC2100

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EPC2046ENGRT

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EPC2045ENGRT

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