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4219701N6481-E3/97 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

1N6481-E3/97

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  • 제품 모델
    1N6481-E3/97
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.1N6481-E3/97.pdf
    2.1N6481-E3/97.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-213AB
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    SUPERECTIFIER®
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-213AB
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    8pF @ 4V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    1N6481

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1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N6481HE3/97

1N6481HE3/97

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N6483HE3/97

1N6483HE3/97

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N6482HE3/97

1N6482HE3/97

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N6482-E3/97

1N6482-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N6480HE3/97

1N6480HE3/97

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N648-1

1N648-1

기술: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N6483-E3/96

1N6483-E3/96

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
1N6481HE3/96

1N6481HE3/96

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N6480-E3/97

1N6480-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N6483HE3/96

1N6483HE3/96

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N6482-E3/96

1N6482-E3/96

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N6482HE3/96

1N6482HE3/96

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N647UR-1

1N647UR-1

기술: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
1N6480HE3/96

1N6480HE3/96

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
1N6481-E3/96

1N6481-E3/96

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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1N6479HE3/97

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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기술: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
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