1N648-1

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규격

제품 모델

1N648-1
제조업체 / 브랜드

Microsemi
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

1N648-1.pdf
ECAD 모델
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1V @ 400mA
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

500V
제조업체 장치 패키지

DO-35
속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
연속

-
포장

Bulk
패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial
작동 온도 - 정션

-65°C ~ 175°C
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 500V 400mA Through Hole DO-35
전류 - 누설 Vr에서 역방향

50nA @ 500V
전류 - 평균 정류 (Io)

400mA
VR, F @ 용량

-

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제조업체: Semtech

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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기술: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

제조업체: Microsemi Corporation

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

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기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

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기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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1N6480HE3/96

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

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