IRFD110PBF

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제품 모델

IRFD110PBF
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IRFD110PBF.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

4V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

4-DIP, Hexdip, HVMDIP
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

540 mOhm @ 600mA, 10V
전력 소비 (최대)

1.3W (Ta)
포장

Tube
패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)
다른 이름들

*IRFD110PBF
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

16 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

100V
상세 설명

N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

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