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IRFD113PBF

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규격
  • 제품 모델
    IRFD113PBF
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IRFD113PBF.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    4-HVMDIP
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    800 mOhm @ 800mA, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    200pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    800mA (Tc)

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IRFD010

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제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IRFD220PBF

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IRFD110

IRFD110

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IRFD110PBF

IRFD110PBF

기술: MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

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IRFD113

IRFD113

기술: MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP

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IRFD020PBF

IRFD020PBF

기술: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP

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IRFD024PBF

IRFD024PBF

기술: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP

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IRFD120

IRFD120

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IRFD120PBF

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IRFD214

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IRFD210PBF

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IRFD014PBF

IRFD014PBF

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IRFD213

IRFD213

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