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5510121RS3DHE3_A/I 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

RS3DHE3_A/I

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규격
  • 제품 모델
    RS3DHE3_A/I
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RS3DHE3_A/I.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 2.5A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    200V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AB (SMC)
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 역 회복 시간 (trr)
    150ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AB, SMC
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    30 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    3A
  • VR, F @ 용량
    44pF @ 4V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    RS3D

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RS3DB-13-F

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기술: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
RS3D-M3/57T

RS3D-M3/57T

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

기술: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS3D-E3/57T

RS3D-E3/57T

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS3D-13-F

RS3D-13-F

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS3G-13-F

RS3G-13-F

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
RS3E095BNGZETB

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기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RS3D-E3/9AT

RS3D-E3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3G M6G

RS3G M6G

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3DHM6G

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기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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