기술: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB
제조업체: Diodes Incorporated
유품
기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB
제조업체: Diodes Incorporated
유품
기술: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
제조업체: Diodes Incorporated
유품
기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
제조업체: Diodes Incorporated
유품
기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
제조업체: LAPIS Semiconductor
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