SI4421DY-T1-GE3

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제품 모델

SI4421DY-T1-GE3
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

SI4421DY-T1-GE3.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

800mV @ 850µA
Vgs (최대)

±8V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

8-SO
연속

TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

8.75 mOhm @ 14A, 4.5V
전력 소비 (최대)

1.5W (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

33 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

125nC @ 4.5V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

20V
상세 설명

P-Channel 20V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

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