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SI4427BDY-T1-E3

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1000+
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규격
  • 제품 모델
    SI4427BDY-T1-E3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±12V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    10.5 mOhm @ 12.6A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.5W (Ta)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    SI4427BDY-T1-E3CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    33 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    70nC @ 4.5V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    P-Channel 30V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    9.7A (Ta)
SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4430BDY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4426DY-T1-GE3

SI4426DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

기술: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4421DY-T1-E3

SI4421DY-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4427BDY-T1-GE3

SI4427BDY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4421-A1-FTR

SI4421-A1-FTR

기술: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4430-B1-FM

SI4430-B1-FM

기술: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4423DY-T1-E3

SI4423DY-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4425BDY-T1-GE3

SI4425BDY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4430-B1-FMR

SI4430-B1-FMR

기술: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4425DDY-T1-GE3

SI4425DDY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4431-A0-FM

SI4431-A0-FM

기술: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4426DY-T1-E3

SI4426DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

기술: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4423DY-T1-GE3

SI4423DY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4430-A0-FM

SI4430-A0-FM

기술: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
SI4425BDY-T1-E3

SI4425BDY-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI4421DY-T1-GE3

SI4421DY-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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