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SI4888DY-T1-GE3

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  • 제품 모델
    SI4888DY-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI4888DY-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SO
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    7 mOhm @ 16A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.6W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    24nC @ 5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    11A (Ta)

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SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4884BDY-T1-E3

SI4884BDY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4880DY-T1-GE3

SI4880DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4876DY-T1-E3

SI4876DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4874BDY-T1-GE3

SI4874BDY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4880DY-T1-E3

SI4880DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4876DY-T1-GE3

SI4876DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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