SI4892DY-T1-GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

온라인 문의

규격

제품 모델

SI4892DY-T1-GE3
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

SI4892DY-T1-GE3.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

800mV @ 250µA (Min)
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

8-SO
연속

TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

12 mOhm @ 12.4A, 10V
전력 소비 (최대)

1.6W (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 5V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

N-Channel 30V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.8A (Ta)

다음은 "SI4892DY-T1-GE3"관련 제품입니다.

SI4900DY-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4894BDY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4886DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4906DY-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4890BDY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4904DY-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4896DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4906DY-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4896DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4886DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4888DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4892DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4900DY-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4888DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4890BDY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4890DY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4904DY-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4890DY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4884BDY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

SI4894BDY-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay

유품

RFQ

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

사전 등록

SI4892DY-T1-GE3

온라인 가격 조회

AMD는 방갈로르 디자인 센터의 두 번째 단계 건설을 시작합니다.

NVIDIA RTX 5090 그래픽 카드의 GPU 영역은 744mm ²이며 이전 ...

Anthropic은 아마존으로부터 40 억 달러의 투자를 더받으며, 두...

Semi : IC 판매량은 3 분기에 12% 증가하고, 성장은 Q4로 ...

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

SI4900DY-T1-E3

SI4894BDY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-E3

SI4904DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

SI4900DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

SI4884BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-E3

언어 선택

현재 언어