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1332904SI5403DC-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5403DC-T1-GE3

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규격
  • 제품 모델
    SI5403DC-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI5403DC-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    1206-8 ChipFET™
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    30 mOhm @ 7.2A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    8-SMD, Flat Lead
  • 다른 이름들
    SI5403DC-T1-GE3DKR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1340pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    P-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    6A (Tc)

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SI5397K-A-GM

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기술: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
유품
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SI5402DC-T1-GE3

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기술: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5406CDC-T1-GE3

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기술: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI5404BDC-T1-E3

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기술: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
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SI5402BDC-T1-E3

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기술: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5411EDU-T1-GE3

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기술: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

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SI5406DC-T1-GE3

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기술: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

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SI5402BDC-T1-GE3

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기술: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI5415EDU-T1-GE3

SI5415EDU-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5397M-A-GM

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기술: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI5401DC-T1-E3

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기술: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

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SI5401DC-T1-GE3

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기술: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

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SI5415AEDU-T1-GE3

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기술: MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET

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SI5397L-A-GM

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기술: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

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SI5414DC-T1-GE3

SI5414DC-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI5406DC-T1-E3

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기술: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

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SI5397J-A-GM

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