SI5406CDC-T1-GE3

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제품 모델

SI5406CDC-T1-GE3
제조업체 / 브랜드

Electro-Films (EFI) / Vishay
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

SI5406CDC-T1-GE3.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1V @ 250µA
Vgs (최대)

±8V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

1206-8 ChipFET™
연속

TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

20 mOhm @ 6.5A, 4.5V
전력 소비 (최대)

2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead
다른 이름들

SI5406CDC-T1-GE3TR
SI5406CDC-T1-GE3TR-N
SI5406CDCT1GE3
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 8V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

12V
상세 설명

N-Channel 12V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

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