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2803453SI7842DP-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7842DP-T1-GE3

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  • 제품 모델
    SI7842DP-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.4V @ 250µA
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • 연속
    LITTLE FOOT®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    22 mOhm @ 7.5A, 10V
  • 전력 - 최대
    1.4W
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • 다른 이름들
    SI7842DP-T1-GE3CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    -
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Dual)
  • FET 특징
    Logic Level Gate
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    6.3A
  • 기본 부품 번호
    SI7842
SI7820DN-T1-E3

SI7820DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7850DP-T1-E3

SI7850DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7840BDP-T1-GE3

SI7840BDP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7812DN-T1-E3

SI7812DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7840BDP-T1-E3

SI7840BDP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7842DP-T1-E3

SI7842DP-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7848BDP-T1-GE3

SI7848BDP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7850ADP-T1-GE3

SI7850ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 60V POWERPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7818DN-T1-GE3

SI7818DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7848BDP-T1-E3

SI7848BDP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7848DP-T1-E3

SI7848DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7844DP-T1-GE3

SI7844DP-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7844DP-T1-E3

SI7844DP-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

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